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半导体光电封面

半导体光电

统计源期刊
主管单位:信息产业部
主办单位:中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)
国际刊号:1001-5868
国内刊号:50-1092/TN
审稿时间: 1个月内
周期:双月刊
发行:重庆
期刊荣誉/收录:
    中国期刊全文数据库(CJFD)、中国核心期刊遴选数据库、中国科技期刊核心期刊、全国中文核心期刊
主要栏目:
    动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光通信、光电技术应用
半导体光电期刊简介
半导体光电期刊简介

《半导体光电》(双月刊)创刊于1976年,由中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)主办。专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告,介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件,报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。荣获重庆市首届十佳期刊称号,1999年;信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号、信息产业部优秀电子期刊、重庆市优秀期刊。

半导体光电被以下数据库收录/期刊荣誉

国家图书馆馆藏、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、上海图书馆馆藏、CA 化学文摘(美)、SA 科学文摘(英)、文摘与引文数据库、北大核心期刊(中国人文社会科学核心期刊)、万方收录(中)、知网收录(中)、统计源核心期刊(中国科技论文核心期刊)、维普收录(中)

半导体光电期刊栏目设置
动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光通信、光电技术应用
半导体光电期刊征稿要求
半导体光电期刊征稿要求

(1)来稿文责自负。文稿务必主题明确,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家秘密,引用他人作品应给出来源。

(2)文稿一般不超过6000字,综述稿不超过8000字,其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和技术报告的稿件,应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。

(3)摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200~250字为宜。

(4)关键词以5~8个为宜。为便于文献检索,应尽可能提供中图分类号。

(5)文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100-3102-93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。

(6)插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作,勿用截图。本刊为黑白印刷,请勿用彩色插图。

(7)文稿中引用他人的成果,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写(含标点符号):

1)专著:作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年.起止页码.

2)译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.

3)期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.

4)会议论文集:作者.题名[C]//编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.

5)学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.

6)专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.

7)标准:责任者.标准代号标准名称[S].出版地:出版者,出版年.

8)电子文献标注格式:主要责任者.题名:其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地:出版者,出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.

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